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W79E832A特性： ·当VDD ＝2.7 ～5.5V时全静态计划8 位Turbo 51 CMOS 微控制器达到16MHz； ·当VDD ＝4.5 ～5.5V时12MHz ； ·8KB 闪存EPROM （AP闪存EPROM ），具有ICP 为外部写编程模式； ·256 字节为片上RAM ； ·256 字节为片上A
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