芯谷提供W79系列W79E226单片机IC解密

　　在成功突破W79全系列单片机解密的基础上，芯谷科技长期专业提供W79E226芯片解密/单片机解密等W79系列芯片解密服务。依靠我们成熟的现成解密方案，丰富的实际解密经验以及对于解密过程的严格技术控制，针对客户的具体解密需求，我们能够最大限度确保解密的成功率和可靠性，且可最大限度降低解密周期及IC解密成本，为客户的总体项目开发提供最值得信赖的技术支持。
　　在W79E226是一个快速，具有重新设计的处理器核心，消除浪费和内存时钟周期8051/52-compatible微控制器。通常，W79E226执行指令1.5至3倍的速度比传统五十二分之八千○五十一认为，在不同的指令类型，整体性能大约2.5倍的速度在同一晶体更好。因此，随着全静态CMOS设计，W79E226可以完成一个较低的时钟速度相同的吞吐量，降低功耗。
　　该W79E226提供256字节的片内RAM; 2 - KB的NVM数据Flash EPROM的2 - KB的辅助记忆体; 4个8位双向可位寻址的I / O口;一个附加的4位端口P4和2位小五口，三个16位定时器/计数器;运动反馈模块的支持; 2个UART串行接口; 1的I2C通道的主/从机的能力; 1串行外设接口（SPI）通道，12通道8位的PWM死区时间和可配置8个10位ADC通道。这些外围设备都被支持20个中断源，4个优先级。
　　该W79E226还包含一个32 - KB的闪存EPROM可更新其在一个辅助，4 KB闪存EPROM中装载机方案进行系统的内容。一旦内容被证实，它可以保护的安全性。
　　全静态设计的8位4吨- 8051高达40MHz的CMOS微控制器。
　　32 - KB的在系统可编程闪存EPROM（AP的闪存EPROM）。
　　4 - KB的引导程序（劳工处闪存EPROM）的辅助ROM。用户可以选择重新启动从LD通过拉低Flash EPROM的在任或P3.6和P3.7 P4.3位在外部复位。
　　2 KB的辅助记忆体，软件选择，由MOVX指令访问。
　　2 KB的客户使用的存储数据的NVM数据Flash EPROM。
　　256便签字节的RAM。
　　4个8位双向端口，端口0有内部上拉电阻由软件启用。
　　多用途的I / O端口4（4位为48L LQFP封装; 2位为44L PLCC封装）和芯片选择（CS）和引导作用。
　　两个位双向端口5。
　　3个16位定时器。
　　1个16位定时器3的运动反馈模块。
　　运动反馈模块 - 解码器和3的QEI输入捕获。
　　八12位PWM通道： 互补搭配可编程死区时间插入输出。
　　三种模式：边缘对齐，居中对齐，并一枪。
　　输出直流无刷电机应用覆盖控制。
　　10位ADC，带有8通道输入。
　　两个增强型全双工UART，并具有帧，错误检测和自动地址识别。
　　同一个通道的I2C主/从功能。
　　一个通道的SPI主/从功能。
　　软件可编程访问周期对外部RAM /外围设备。
　　20四个优先级中断源。
　　以上我们针对W79E226芯片的主要内部特征进行了简单介绍，以帮助广大客户在芯片解密项目合作过程中进行技术理解和沟通，也方便技术工程师对芯片内部结构及其加解密性质进行分析，有W79E226芯片解密/单片机解密灯W79系列单片机解密需求者请与芯谷科技联系咨询更多解密详情
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