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W79E8213R解密——华邦单片机解密
关于W79E8213R解密,芯谷科技在此首先提供W79E8213R基本功能特征介绍,芯谷科技长期以来专注于各类IC解密、单片机解密、DSP解密、FPGA解密、ARM芯片解密、软件解密等技术研究及技术服务,依靠多年解密技术积累,我们可以为每一款芯片提供高效可靠、具备成本竞争优势的解密方案。
有W79E8213R解密需求者请直接与芯谷科技联系:
有IC解密、单片机解密及芯片解密意向与需求者请按如下方式联系:
解密服务咨询专线:086-0755-83003639
咨询邮箱:market2@pcblab.net
咨询QQ:992091822 1031062457
该W79E8213系列包括一个8位的4吨- 8051微控制器,它有Flash EPROM的是用ICP可编程(在电路程序)或硬件作家。在W79E8213系列的指令集,完全符合标准的8052兼容。该系列包含W79E8213主Flash EPROM中一个4K字节,128字节的RAM,两个16位定时器/计数器,4通道10位PWM,3边缘检测的投入; 8路10位A / D转换。该W79E8213系列支持128字节的NVM数据Flash EPROM。这些外围设备都由10源4级中断能力。为了方便用户进行编程和验证,对闪存EPROM内W79E8213系列允许程序存储器进行编程和读取电子化。一旦代码确定后,用户可以对代码进行保护。
全静态设计8位4吨- 8051的CMOS微控制器:
- 电压Vdd = 4.5V至5.5V @ 20MHz的
- VDD = 2.7V至5.5V的@ 12MHz的
- 电压Vdd = 2.4V至5.5V @ 4MHz的
指令集与MSC - 51兼容。
灵活的CPU的时钟源配置位和软件配置:
- 高速外部振荡器:高达20MHz的晶振和谐振器(通过配置位使能)。
- 内部RC振荡器:20/10MHz通过配置位选择,只有W79E8213R支持02%准确度的内部固定电压和温度条件下RC振荡器?。
4K字节的Flash EPROM的美联社,ICP和外部作家与可编程模式。
128片内RAM字节。
W79E8213系列支持128个用户的数据存储字节的NVM数据Flash EPROM和10K作家使用周期。
- 8页。页面大小是16字节。
2个16位定时器/计数器。
十大中断源,4个优先级。
三边沿检测中断输入。
可编程看门狗定时器。
四通道10位PWM(脉宽调制器)。
蜂鸣器的内部方波发生器。
多达18个I / O引脚。
4个输出模式和TTL /施密特触发器可选端口。
LED驱动能力(20mA)的所有端口引脚。灌20mA的;车道:-15?- 20mA的@推挽模式。
八高吸收能力(40mA的)端口引脚。
八通道复用10位A / D转换。
低电压检测中断和复位。
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